Si粉体Cコート用回転CVD装置

★ MPCVD-Powder ★

粉体表面へのカーボンコート/各種熱処理などに

※実際の商品は写真と一部異なる場合があります。

 
目 的 : 粉末試料の表面にカーボン膜をCVDコートするための回転型管状炉CVD装置です。
特 徴 :
  •  石英炉心管をモーター駆動で回転させ、粉末試料を攪拌させながら、
     CVD処理を可能にしたCVD装置です。
  •  常圧モードでも、減圧モードでも、回転機構が動作可能で、
     ムラなく、均一なCVD処理、熱処理が実現できます。
  •  リチウムイオン電池負極材へのカーボンコートや、セラミックス粉末表面へのカーボンコートに最適
  •  その他の機能は MPCVD-50 に準じる

主な仕様

基本構成 管状炉 常用使用温度 400~1000℃
適応チューブ外径 ~50㎜φ
温度制御 1ゾーン プログラム付温度調節計
外形寸法 W550㎜×H300㎜×D450㎜
ブレーカー容量 AC100V 20A 単相50/60Hz
炉心管 材質 石英
サイズ OD50㎜×ID45㎜×L800㎜
ガス制御 マスフローコントローラ
導入ガス種

キャリアガス:N2 or Ar

還元ガス:H2

炭化水素ガス:C2H2 or C2H4 or CH4

外形寸法(ボックス) W250㎜×H310㎜×D450㎜
真空計 ブルドン管真空計
排気ポンプ ロータリーポンプ
外形寸法 W156㎜×H200㎜×D300㎜
オプション: 液体原料導入系
オプション: 触媒前駆体供給ポート