Si負極材へのCコート用回転CVD装置
★ MPCVD-Powder ★
粉体表面へのカーボンコート／各種熱処理などに
※実際の商品は写真と一部異なる場合があります。
| 目 的 : | Siや黒鉛負極粉末試料の表面にカーボン膜をCVDコートするための回転型管状炉CVD装置です。 |
|---|---|
| 特 徴 : |
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主な仕様
| 基本構成 | 管状炉 | 常用使用温度 | 400～1000℃ |
| 適応チューブ外径 | ～50㎜φ | ||
| 温度制御 | 1ゾーン プログラム付温度調節計 | ||
| 外形寸法 | W550㎜×H300㎜×D450㎜ | ||
| ブレーカー容量 | AC100V 20A 単相50/60Hz | ||
| 炉心管 | 材質 | 石英 | |
| サイズ | OD50㎜×ID45㎜×L800㎜ | ||
| ガス制御 | マスフローコントローラ | ||
| 導入ガス種 |
キャリアガス：N2 or Ar 還元ガス：H2 炭化水素ガス：C2H2 or C2H4 or CH4 |
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| 外形寸法（ボックス） | W250㎜×H310㎜×D450㎜ | ||
| 真空計 | ブルドン管真空計 | ||
| 排気ポンプ | ロータリーポンプ | ||
| 外形寸法 | W156㎜×H200㎜×D300㎜ | ||
| オプション： 液体原料導入系 | |||
| オプション： 触媒前駆体供給ポート | |||