汎用CVD装置

∞ MPCVD-50 ∞

CNT合成,カーボン成膜,ナノセラミック成膜,窒化,カルコゲナイド成膜等に

※実際の商品は写真と一部異なる場合があります。

目 的 : CNTを合成したり、粉体試料にカーボンを成膜したり、各種CVD成膜するための汎用管状炉タイプ熱CVD装置です。
アンモニア、各種CVD反応ガス、昇華系固体前駆体や液体前駆体の導入ユニットを追加することにより、
窒化処理、カルコゲナイド(二硫化モリブデンMoS2など)層状物質の成膜などにも応用できます。
特 徴 :
  •  液体燃料(エタノール)導入系を搭載、炭化水素ガスが設置できない場所でも使用可能。
  •  3系統のマスフローガス流量制御系、正確なガス制御が可能。
  •  真空排気系が標準装備し、真空炉、雰囲気炉などとしても兼用可能。
  •  コンパクトでしっかりとした筐体設計、卓上実験台などに簡単設置。
  •  拡張性が高く、あらゆる処理に対応しやすい。

LIB電池用Si負極材へのカーボンコート

 

二硫化モリブデン膜

長尺CNT/SiのSEM画像

粉末CNTのSEM画像

主な仕様

基本構成 管状炉 常用使用温度 400~1000℃
炉内寸法 60㎜φ×L260㎜
温度制御 1ゾーン プログラム付温度調節計
外形寸法 W300㎜×H200㎜×D186㎜
電気容量 700W
炉心管 材質 石英
サイズ OD50㎜×ID46㎜×L900㎜
ガス制御 マスフローコントローラ
導入ガス種

キャリアガス:N2 or Ar

還元ガス:H2

炭化水素ガス:C2H2 or C2H4 or CH4

真空計 ブルドン管真空計
排気ポンプ ロータリーポンプ
外形寸法 W156㎜×H200㎜×D300㎜
液体原料導入システム
触媒前駆体導入機構
外形寸法 W1100㎜×H1000㎜×D500㎜