卓上CNT合成装置

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CNTが簡単に作製できるCVD装置

※実際の商品は写真と一部異なる場合があります。

[動画] Si基板上への垂直配向CNTの成長の様子

目 的 : エタノールを原料とし、各種基板表面に垂直配向カーボンナノチューブを合成する装置です。
特 徴 :
  •  エタノールを炭素源として使用 → 可燃性炭化水素ガスボンベが不要
  •  CNT成長時間はわずか数分間 → トータルのプロセス時間は約30分
  •  パソコン程度の大きさで、どこでも設置・使用可能
  •  手軽、廉価、高品質CNT → 学生実験の教材としても利用可

Si基板上に垂直に成長したCNTのSEM像

 エタノールはカーボンナノチューブの生成にとって非常に都合のいい原料の一つです。 SWCNTや結晶性の高いCNTが生成されやすい特徴があります。 また、炭化水素ガスより低い温度で分解し、触媒の還元作用と反応性が強いため、 SUSやNiCuなどバルク合金材料の中の触媒元素(Ni,Fe,Co)を触媒作用を有するナノ粒子として析出させることができ、 そのままカーボンナノチューブあるいはカーボンナノファイバーに成長することも可能です。

 各種基板(シリコン、石英、ステンレス、金属、セラミックスなど)や担体に、 結晶性の高い垂直配向カーボンナノチューブを成長させることができます。 コンパクトサイズで操作も簡単、全プロセスは約30分で完了します。 透明ガラスチャンバーの使用により、CNT生成の瞬間を直接観察することも可能です。

 なお、配向CNTを成長させるには、一部のNiやFeなどの合金基板を除いて、 一般的にサンプル基板に触媒膜を事前に成膜しておく必要があります。 弊社から、消耗品として触媒膜付き基板のご提供も行っております。また、お客様自身の成膜装置でも触媒成膜できます。

 触媒形成からCNT成長までの自己完結システムをご希望の場合は MPCNT-Premium高機能真空蒸着装置を推奨しております。

主な仕様

基本構成 本体

パイレックス製チャンバー

パージガス導入ライン

排気ポンプライン

リークライン

真空計

電流導入端子ポート

外形寸法:W400㎜×H300㎜×D265㎜

¥18,000,000~
ヒーター

25ミリ×40ミリ

常用使用温度:400~800℃

電源

定格出力電力:400W

AC90-250V 単相50-60Hz

外形寸法:W110㎜×H130㎜×D405㎜

排気ポンプ

ロータリーポンプ

外形寸法:W156㎜×H200㎜×D300㎜

液体燃料用るつぼ
オプション 放射温度計セット ¥360,000-
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