横型CNT/グラフェン合成装置
★ MPCVD-Graphene ★
炉のスライド移動による急冷機構を搭載
加熱時（スライド移動前）
冷却時（スライド移動後）
※実際の商品は写真と一部異なる場合があります。
| 目 的 : | グラフェン膜を合成するための管状炉(50㎜φ）タイプの熱CVD装置です。 |
|---|---|
| 特 徴 : |
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高真空排気系（オプション）を併用して成膜された
単層グラフェン／Niの光顕像
炭化水素ガス（CH4やC2H2)を用いたCVD法で触媒基板（Ni、Cuなど）にグラフェン膜を成長するには、 基板の急冷が重要要素の一つと言われています。
本装置には、炉心管がそのままで、加熱部だけをスライド移動できるような機構が設けられています。
このスライド機構により、炉のホットゾーンをサンプル位置から素早く外すことができ、サンプルの急冷が可能になります。
また、オプションで高真空排気システムを搭載することにより、より広い面積の単層グラフェン膜が容易に成膜できます。
高真空排気系（オプション）を併用して成膜された単層グラフェン／Niのラマンスペクトル
主な仕様
| 基本構成 | 管状炉 | 常用使用温度 | 400～1000℃ |
| 炉内寸法 | 60㎜φ×L260㎜ | ||
| 温度制御 | 1ゾーン プログラム付温度調節計 | ||
| 外形寸法 | W300㎜×H200㎜×D186㎜ | ||
| 電気容量 | 700W | ||
| 炉心管 | 材質 | 石英 | |
| サイズ | OD50㎜×ID46㎜×L1200㎜ | ||
| ガス制御 | マスフローコントローラ | ||
| 導入ガス種 |
キャリアガス：N2 or Ar 還元ガス：H2 炭化水素ガス：C2H2 or C2H4 or CH4 |
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| 真空計 | ブルドン管真空計 | ||
| 排気ポンプ | ロータリーポンプ | ||
| 液体原料導入システム | |||
| 炉心管内測定用熱電対（オプション） | |||
| 急冷用スライド機構（スライド距離：250㎜） | |||
| 外形寸法 | W1400㎜×H1000㎜×D500㎜ | ||